РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Светотехника/2008/№ 4/
В наличии за
130 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Влияние сверхтонкой структуры линий на перенос резонансного излучения в ртутном разряде низкого давления

В статье рассматривается вопрос о необходимости и преимуществах использования интегрального уравнения переноса резонансного излучения с учетом сверхтонкой структуры линий в замкнутой численной модели положительного столба разряда низкого давления.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Влияние сверхтонкой структуры линий на перенос резонансного излучения в ртутном разряде низкого давления <...> С. П. РЕШЁНОВ 1 МЭИ (ТУ) С начала 60-х годов прошлого столетия идет развитие численных моделей положительного столба разрядных ламп НД. <...> Тем не менее, еще остается нерах ламп, хорошо согласующиеся с рерасало нерешённых проблем в части переноса излучения, пр чета функции распределения электронов, учета неучтугих атом-атомных столкновений и других процессов, г о мешает успешно предсказывать параметры ЛЛ новоуо поколения с колбами малого диаметра и повышенной div ·2 r r Ź rr ,r r' d [ ( ) s () 4 V где ε (r) и ε (r') – силы излучения единичного объема в окрестностях точек r и r'. фоПроизведение G (r, r' )dr′ есть вероятность того, что ести по формуле ( ) G( ) ]r' r' <...> (3) дет погтон, испущенный в элементарном объеме dr', булощен в единичном объеме, окружающем точку <...> r. С учетом высокой селективности излучения плазмы в в пределах спектральных линий расчет G (r, r' ) следует дельной мощностью. <...> В настоящей статье рассматривается вопрос о необхогдимости и преимуществах использования интегральносво уравнения переноса резонансного излучения с учетом моерхтонкой структуры линий в замкнутой численной дели положительного столба разряда НД. <...> (1) где nj, τj и Dj – концентрация, эффективное время жизни и коэффициент диффузии атомов в состоянии j; αkj – вероятность их заселения из состояния k. ятности заселения и разрушения электронным ударом, з за счет неупругих столкновений тяжелых частиц, в репроцеультате диссоциативной рекомбинации и излучательных jk Gk Pr r' (, )rr' 2 Ź ( ) ( ) rr'() 4rr' 2 d, <...> * ) ] () , анный профиль спектральной линии излучения; τ ми (ν,r – r′) – оптическая прозрачность слоя между точкаизв еля правую и левую части (3) на nj (r)hν <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: