МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ГРАФИТА МЕТОДОМ ФУНКЦИОНАЛА ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ В ПРИБЛИЖЕНИИ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ

С использованием квантово-химического метода функционала электронной плотности в приближении сильной связи проведено молекулярно-динамическое моделирование образования точечных дефектов в графене и ультратонких пленках графита. Дана оценка пороговых значений энергии образования вакансий в слоях графита, визуализированы два механизма дефектообразования.

Авторы

Тэги

графен графит точечные дефекты метод функционала электронной плотности молекулярная динамика.

Тематические рубрики

Прикладные науки. Медицина. Технология

Предметные рубрики

В этом же номере:

КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ СУЛЬФИДОВ, РОДСТВЕННЫХ ВИСМУТИНИТУ Bi2S3, CRYSTAL STRUCTURE OF NOVEL LAYERED IRON ARSENATE-OXALATE (NH4)3K3[Fe2(HAsO4)2(C2O4)4]•2H2O, ...

Резюме по документу**

С использованием квантово-химического метода функционала электронной плотности в приближении сильной связи проведено молекулярно-динамическое моделирование образования точечных дефектов в графене и ультратонких пленках графита. <...> Дана оценка пороговых значений энергии образования вакансий в слоях графита, визуализированы два механизма дефектообразования. <...> С использованием квантово-химического метода функционала электронной плотности в приближении сильной связи проведено молекулярно-динамическое моделирование образования точечных дефектов в графене и ультратонких пленках графита. <...> Дана оценка пороговых значений энергии образования вакансий в слоях графита, визуализированы два механизма дефектообразования. <...>

** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

Похожие документы из РУАЭСТ
|
Похожие документы из Руконт

МОЛЕКУЛЯРНО-ДИНАМИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ДЕФЕКТОВ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ ГРАФИТА МЕТОДОМ ФУНКЦИОНАЛА ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ В ПРИБЛИЖЕНИИ СИЛЬНОЙ СВЯЗИ

Помощь:

Участники: