Фотодиэлектрический эффект, связанный с возбуждением комплекса А {+} + e в квазинульмерных структурах
Теоретически исследован фотодиэлектрический эффект, связанный с возбуждением примесных комплексов A {+} +e в квазинульмерной структуре. В адиабатическом приближении с учетом дисперсии радиуса квантовых точек получено выражение для спектральной зависимости изменения диэлектрической проницаемости. Показано, что поляризуемость комплекса A {+} +e в дипольном приближении определяется средним радиусом квантовых точек и энергией связи дырки локализованной на A {0}-центре. Найдено, что изменение диэлектрической проницаемости наиболее существенно в случае круговой поляризации света. Проанализирована возможность использования фотодиэлектрического эффекта в качестве эффективного механизма воздействия ИК-излучения на распространения субмиллиметровых волн в полупроводниковых структурах.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
В. Д. Кревчик, А. В. Левашов
ФОТОДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ, СВЯЗАННЫЙ
С ВОЗБУЖДЕНИЕМ КОМПЛЕКСА A e
В КВАЗИНУЛЬМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ
Теоретически исследован фотодиэлектрический эффект, связанный с
возбуждением примесных комплексов A e в квазинульмерной структуре. <...> В
адиабатическом приближении с учетом дисперсии радиуса квантовых точек
получено выражение для спектральной зависимости изменения диэлектрической
проницаемости. <...> Показано, что поляризуемость комплекса A e в дипольном
приближении определяется средним радиусом квантовых точек и
энергией связи дырки локализованной на
A 0 -центре. <...> Найдено, что изменение
диэлектрической проницаемости наиболее существенно в случае круговой
поляризации света. <...> Проанализирована возможность использования фотодиэлектрического
эффекта в качестве эффективного механизма воздействия
ИК-излучения на распространения субмиллиметровых волн в полупроводниковых
наноструктурах. <...> Интерес к фотодиэлектрическому эффекту связан с тем, что он может
быть использован в качестве метода спектроскопических исследований примесей
в полупроводниковых наноструктурах. <...> Резонансные частоты 0 , характеризующие дисперсию низкочастотной
диэлектрической проницаемости , находятся в субмиллиметровом диа0
710 11 Гц . <...> Например, для квантовых точек (КТ) InSb с комплексом Ae , как
показали оценки,
водниковой квазинульмерной структуры с комплексами A e квантами с
энергией
h 0 может заметно изменяться коэффициент преломления субмиллиметровых
волн. <...> В этой связи ФДЭ может служить эффективным механизмом
воздействия ИК-излучения на распространение субмиллиметровых волн в полупроводниковых
наноструктурах и как метод регистрации ИК-излучения. <...> В
настоящей работе в рамках модели потенциала нулевого радиуса в адиабатическом
приближении с учетом дисперсии радиуса квантовой точки (КТ), описываемых
моделью «жесткой стенки», получены аналитические выражения, определяющие <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: