РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Светотехника/2008/№ 5/
В наличии за
130 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Деградация светодиодов на основе гетероструктур нитрида галлия и его твердых растворов

Цель работы состоит в нахождении механизмов и закономерностей процессов деградации полупроводниковых гетероструктур на основе нитрида галлия в стационарном и импульсном режимах. Исследования, результаты которых приводятся и обсуждаются в статье, проводились на кристаллах на основе InGaN/GaN гетероструктур с квантовыми ямами при работе в стационарном режиме и повышенных значениях окружающей температуры и плотности тока.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Деградация светодиодов на основе гетероструктур нитрида галлия и его твёрдых растворов <...> М.В. Ломоносова Полупроводниковые структуры на пы (GaN, основе нитридов элементов III груптивными оптоэлектроннынения типа AlN, InN, а также соедися перспек AlGaN и InGaN) являютми материалами с широким спектром практических применений: активные среды лазерных диодов, транзисторы, голубые, зелёные и белые (люминофорные) светодиоды (СД) и др. етероструктур в На сегодня развитие полупрогО светодиодах на основе GaN тодниковых оптоэлектронных уснитрида галлия и его твёрдых растворов идёт очень высокими темпами. <...> Рекордсменами здесь являются разработки полупроводниковых ИС на основе данных гетероструктур – указанных выше СД. <...> . Достигнутый уровень энергоэфетероструктур Важной особенностью СД служит х то, что они через 50–100 тыс. ч не выАктуальность темы г исследования деградации GaN онных ламп. <...> Набодят из строя, в отличие от традицитнотонное снижение их светового пособую актуальность. ние гСтоит подчеркнуть, что в последого снижения, т. е. деградании пооснове нитрида галлия при протекастоянного тока и в импульсоках в стационарном и им– исследование процессов деградации полупроводниковых гетероструктур при температурах, близких к критической рабочей температуре p-n-перехода. шенных темпераве InGaN гетероструктур при повытурах; людается лишь мооценки этока во времени. <...> При этом вопрос оции СД, приобретает в таком случае оды многие исследовательские Цель этих работ состоит в нахождении механизмов и закономерновстей процессов деградации полупрольсном режимах. водниковых гетероструктур на оснои импуе нитрида галлия в стационарном Исследования, результаты которых группы серьёзно занялись вопросами деградации светодиодных гетероструктур на основе GaN и его твёрдых растворов. <...> Также было предположено, что причиной жёлтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия могут являться дивакансии азота [3] и что с этим связано <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: