Высоковольтные модули с низкой внутренней индуктивностью для следующего поколения чипов — nHPD2

Для того чтобы получить преимущества от использования полупроводниковых приборов на основе полупроводников с широкой запрещенной зоной (WBG), необходимо снизить суммарное значение паразитной индуктивности системы. Новая технология Hitachi, ориентированная на концепцию мощных высоковольтных модулей, называется next High Power Density Dual, или HPD2. Технология предлагает не только резкое сокращение внутренней индуктивности (на 75% по сравнению с обычными модулями), но и увеличение удельной мощности по сравнению с модулями F-серии, представленными Hitachi в 2014 году. Тогда компании удалось добиться повышения удельной мощности на 20% в сравнении с аналогичными компонентами.

• Карташев Евгений
• Колпаков Андрей
• Инаба Масамитсу
• Кавасе
• Сайто Кацуаки
• Хориючи Кейсуке

• Технические науки. Промышленность