Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. Микропоры. Малоугловые границы. Дефекты упаковки

карбид кремния; микропоры; малоугловые границы; дефекты упаковки.

Компенсация движения для видеокодирования на основе гексагональных блоков, Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста, ...

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 621.315 Обзор Основные дефекты в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния II. <...> Petersburg Приведены сведения о дефектах, существующих в слитках и эпитаксиальных слоях карбида кремния. <...> The micropipes, the low-angle boundaries and the stacking faults have been considered. <...> Наиболее серьезным дефектом, приводящим к фатальным последствиям при работе силовых приборов на основе карбида кремния SiC, всегда считались микропоры – протяженные дефекты, вытянутые вдоль направления [0001], с полой областью ядра. <...> Микропоры уменьшают пробивные напряжения в p i n-диодах и диодах Шоттки, а также увеличивают токи утечки в приборных структурах на основе карбида кремния. <...> Образование и огранение полых каналов, параллельных направлению роста слитка, можно объяснить эффектом вторичного испарения материала затравки <...> Обычно микропору отождествляют с супервинтовой дислокацией с вектором Бюргерса, в несколько раз превышающем размер элементарной ячейки карбида кремния в направлении [0001]. <...> [3], винтовые дислокации, в том числе с полым ядром, образуются в процессе зарастания включений второй фазы в растущем кристалле. <...> При этом винтовые дислокации зарождаются парами с противоположными векторами Бюргерса или группой с суммарным вектором Бюргерса, равным нулю [3]. <...> Согласно модели Франка [6], в изотропном теле дислокация с вектором Бюргерса, превышающим некоторое критическое значение, имеет полую область ядра радиусом r, не заполненную материалом [7]. <...> Равновесная величина r определяется из равенства изменений поверхностной и упругой энергий, соответствующих возникновению полого ядра [7]: r = (μb2)/(8π2γ), где μ – модуль сдвига; b – вектор Бюргерса дислокации; γ – поверхностная энергия кристалла. <...> В [5] также выведено простое соотношение, которому должна удовлетворять величина вектора Бюргерса, для того чтобы ядро дислокации было полым: bmin > 40πγ / μ. <...> Кроме того, радиус полого ядра зависит от степени пересыщения в процессе роста <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт