Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы

нитрид галлия; газофазная эпитаксия; пограничный слой; массоперенос; кристаллизация.

Распределение температуры по длине термомеханического актюатора, Разработка и исследование МДП-варикапов с переносом заряда, ...

УДК 621.383 Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия при эпитаксии из газовой фазы <...> Е.Н. Вигдорович Московский государственный университет приборостроения и информатики Possibilities for Improvement of Gallium Nitride Functional Characteristics by Epitaxy from Gas Phase E.N. <...> Vigdorovich Moscow State University of Instrument Engineering and Informatics Проведен теоретический анализ механизмов кристаллизации нитрида галлия в процессе газофазной эпитаксии. <...> Подробно рассмотрен процесс роста слоев в условиях ограничений в пограничном слое. <...> Определены условия управления процессом и форсирования массопереноса. <...> Экспериментально изучено влияние скорости вращения подложки на механизм кристаллизации. <...> Широкозонные полупроводники в настоящее время интенсивно исследуются, так как их использование в радио- и оптоэлектронике позволяет улучшать функциональные характеристики существующих приборов и создавать устройства с принципиально новыми свойствами. <...> Наиболее перспективным широкозонным полупроводником является нитрид галлия (GaN) [13]. <...> Исследуются в основном два метода получения пленок GaN – молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) и эпитаксия с использованием металлоорганических соединений (МОС). <...> Кристаллизация вещества при газофазной эпитаксии – это многоэтапный процесс, состоящий из различных химических и физических стадий. <...> Это массоперенос и химические процессы в газовой фазе, физическая или химическая адсорбция на поверхности подложки, химические реакции в пограничном слое, поверхностная диффузия, встраи <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 4 2015 Возможности улучшения функциональных характеристик нитрида галлия... вание атомов в кристаллическую решетку и, наконец, твердотельная диффузия в объеме получаемого материала. <...> При исследовании механизма кристаллизации GaN с использованием МОС обнаружено, что существуют интервалы температур, в которых скорость роста лимитируется или поверхностными процессами (кинетический режим) или массопереносом в газовой фазе <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт