Влияние нестационарных воздействий на концентрационную микронеоднородность при выращивании кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации

выращивание полупроводниковых кристаллов; метод вертикальной направленной кристаллизации; полосы роста; численное моделирование.

Оценка и выбор параметров инерциальной навигационной системы для работы в составе многоантенной системы, Конструктивно-технологический базис на основе полностью самосовмещенных структур для терагерцовых БИС, ...

УДК 53.072 Влияние нестационарных воздействий на концентрационную микронеоднородность при выращивании кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации <...> А.Н. Дормидонтов Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Influences of Non-Stationary Equipment Conditions on Concentration Microinhomogeneity at the Vertical Directed Crystals Growth A.N. <...> Dormidontov National Research University of Electronic Technology Исследовано влияние нестационарных воздействий в ростовой установке на образование концентрационных микронеоднородностей примеси в кристаллах, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации. <...> Рассчитана концентрационная микронеоднородность при погрешности поддержания температурного профиля в печи в пределах 0,01 – 0,5 К и неравномерном перемещении тигля с шагом от 0,1 до 100 мкм. <...> Даны рекомендации по уменьшению концентрационной микронеоднородности в кристаллах. <...> Ключевые слова: выращивание полупроводниковых кристаллов; метод вертикальной направленной кристаллизации; полосы роста; численное моделирование. <...> The concentration microinhomogeneity has been numerically calculated with the furnace temperature profile control error within 0.1 to 0.5 K and with the non-stationary movement of the crucible with the step from 0.1 to 100 microns. <...> The recommendations for reducing the concentration microinhomogeneity in crystals have been given. <...> Это достигается благодаря возможности задавать необходимый осевой температурный профиль вдоль тигля, который контролируется на протяжении всего процесса роста кристалла. <...> Однако нестационарные воздействия со стороны оборудования приводят А.Н. Дормидонтов, 2015 Известия вузов. <...> А.Н. Дормидонтов к флуктуациям температуры и нарушают технологический процесс. <...> Образование микроскопических неоднородностей состава кристалла, так называемых полос роста, – одно из следствий таких флуктуаций. <...> В первую очередь, это результат влияния нестационарной конвекции в расплаве и нестационарных воздействий со стороны ростового оборудования [4]. <...> Следует особо выделить такие нестационарные воздействия, как неравномерное перемещение тигля относительно нагревательных <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт