Исследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопии

алюминий; арсенид галлия; вицинальная поверхность; молекулярно-пучковая эпитаксия; высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия.

Исследование мультиграфеновых структур на основе квантово-химической модели, Алгоритм JPEG-IT, повышающий сжатие изображений, ...

УДК 539.25; 620.187.3 Исследование структуры тонкого слоя алюминия на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия методом высокоразрешающей электронной микроскопии М. <...> Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences Представлены результаты электронно-микроскопических исследований тонкого эпитаксиального слоя алюминия на разориентированной подложке арсенида галлия. <...> Установлено, что слой состоит из зерен различных ориентаций, кристаллические решетки которых когерентно сопрягаются с подложкой с образованием дислокаций несоответствия, как и в случае слоя на сингулярной подложке. <...> Визуализированы атомные ступени на поверхности подложки и обсуждено их влияние на рост кристаллических зерен алюминия. <...> Ключевые слова: алюминий; арсенид галлия; вицинальная поверхность; молекулярно-пучковая эпитаксия; высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия. <...> Keywords: aluminum; gallium arsenide; vicinal surface; molecular beam epitaxy; high-resolution transmission electron microscopy единений на основе AIIIBV, являются объектом многочисленных исследований [1–3], главным образом вследствие их применения для создания выпрямляющих и омических Тонкие металлические слои, выращенные на подложках полупроводниковых со М.В. Ловыгин, Н.И. Боргардт, М. <...> Система Al/GaAs(100), выращиваемая методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ), – одна из наиболее используемых и хорошо изученных, в том числе из-за возможности формирования на ее основе контактов Шоттки. <...> Известно [5, 6], что на кристаллографически точно ориентированной (сингулярной) поверхности подложки тонкий эпитаксиальный слой Al растет по островковому механизму и состоит из кристаллических зерен трех ориентаций: Al(100), Al(110) и Al(110)R. <...> Отклонение подложки от точной кристаллографической ориентации приводит к образованию упорядоченного набора атомных ступеней и гладких террас на ее так называемой вицинальной поверхности. <...> В [8] высказано предположение, что при выращивании слоя Al на вицинальной поверхности GaAs(100) доля и размеры зерен <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт