Влияние локальных фононных мод широкозонной матрицы на туннельные ВАХ квазинульмерных структур

Представлены результаты эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs (001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии в сверхвысоком вакууме. Предложена модель 1D-диссипативного туннелирования для интерпретации обнаруженных в эксперименте особенностей туннельных вольт-амперных характеристик контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки. Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки InAs/GaAs (001).

Авторы

Тэги

1D-диссипативное туннелирование диссипативное туннелирование квантовое туннелирование квантовые точки точка туннельные ВАХ туннельный перенос

Тематические рубрики

Прикладные науки. Медицина. Технология

Предметные рубрики

Социальные (общественные) науки

В этом же номере:

Модели стадий изменения поведения в психологии здоровья: возможности и ограничения, Региональные диспропорции современного развития экономики Китая, ...

Резюме по документу**

Представлены результаты эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs (001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии в сверхвысоком вакууме. <...> Предложена модель 1D-диссипативного туннелирования для интерпретации обнаруженных в эксперименте особенностей туннельных вольт-амперных характеристик контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки. <...> Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. <...> Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки InAs/GaAs (001). <...> Представлены результаты эксперимента по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs (001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии в сверхвысоком вакууме. <...> Предложена модель 1D-диссипативного туннелирования для интерпретации обнаруженных в эксперименте особенностей туннельных вольт-амперных характеристик контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки. <...> Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D-диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. <...> Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной вольт-амперной характеристикой контакта зонда атомно-силового микроскопа к поверхности квантовой точки InAs/GaAs (001). <...>

** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы:

Похожие документы из РУАЭСТ
|
Похожие документы из Руконт

Влияние локальных фононных мод широкозонной матрицы на туннельные ВАХ квазинульмерных структур

Помощь:

Участники: