РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Химия и химическая технология/2011/№ 9/
В наличии за
40 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Теоретический анализ устойчивости кристаллизатора непрерывного действия

Разработана методика оценки устойчивости ячейки полного смешения кристаллизатора непрерывного действия. Проведены численные эксперименты, подтвердившие применимость данной методики для различных моделей кинетики образования и роста кристаллов.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Е.С. Сливченко, А.П. Самарский, В.Н. Исаев, Н.А.Супрунов ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ УСТОЙЧИВОСТИ КРИСТАЛЛИЗАТОРА НЕПРЕРЫВНОГО ДЕЙСТВИЯ (Ивановский государственный химико-технологический университет) e-mail: piaxt@isuct.ru Разработана методика оценки устойчивости ячейки полного смешения кристаллизатора непрерывного действия. <...> Проведены численные эксперименты, подтвердившие применимость данной методики для различных моделей кинетики образования и роста кристаллов. <...> Ключевые слова: кристаллизационная система, ячейка полного смешения, скорость образования кристаллов, скорость роста кристаллов, пересыщение, осцилляция, устойчивость Важнейшей задачей проектирования высокоэффективного стационарного кристаллизатора непрерывного действия с применением современных наукоемких технологий процесса кристаллизации <...> [1] является выбор оптимальной температуры Т и пересыщения ΔС (переохлаждения ΔТ) кристаллизационной системы (КС), при которых будет обеспечиваться максимальный выход продукта Вп требуемого качества. <...> Однако не менее важной является задача проверки устойчивости КС в выбранных режимах, поскольку практика непрерывной промышленной массовой кристаллизации в дисперсных средах подтверждает наличие колебаний (осцилляции) Вп и гранулометрических характеристик кристаллов даже при стабилизации основных режимных параметров КС. <...> Известно, что осцилляция – результат самоорганизации КС [2], обусловленной одновременным протеканием процессов образования и роста кристаллов, скорости которых α и β отличаются друг от друга, как правило, на несколько порядков. <...> Реальная КС подвержена воздействию множества возмущающих факторов, к которым относятся: - изменения скоростей реакционных потоков на входе в кристаллизатор; - изменения стоков сплошной и дисперсной фаз и темпа охлаждения; - присутствие в КС примесей и физических полей; - переход КС из метастабильной в лабильную область. <...> Интуитивные попытки обеспечения <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: