Фотоэлектрохимическое поведение полупроводниковой гетеросистемы CdSe/WO[3]

фотоэлектрохимическое поведение узкозонные полупроводники полупроводники гетеросистемы

Взаимосвязь гидрофобности молекул аминокислот и дипептидов с их физико-химическими параметрами, Электрохимический синтез комплексных соединений меди (II) с некоторыми аминокислотами, ...

Dependence of lg i – t for lead electrode in 0.63 M solution of the CaCl2 in DMF at various potentials –Ec, V: 1-2.2; 2-2.4; 3-2.6; 4-2.8; 5-3.0 Проведенные исследования показали принципиальную возможность электрохимического модифицирования поверхности свинца кальцием из апротонного органического раствора соответствующей соли по методу катодного внедрения. <...> Установлено, что распределение кальция в глубь свинцового образца (толщиной 1000 мкм) возможно на значительную глубину и достигает 6% на глубине 550 и 4% соответственно на глубиКафедра технологии электрохимических производств 1 2 4 3 5 не 790 мкм. <...> УДК 541.13 А.Ш. Алиев, М.Н. Мамедов ФОТОЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ПОВЕДЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСИСТЕМЫ CdSe/WO3 (Институт химических проблем НАН Азербайджана) E-mail: chim.prob.tur.@rambler.ru Исследовано электрохимическое и фотоэлектрохимическое поведение анодов из n-WO3, n-CdSe и n-CdSe/WO3 в растворе 0,5 М Na2SO4 в темноте и при освещении. <...> Установлено, что пленки WO3 значительно предотвращают фотокоррозию CdSe и гетеросистема CdSe/WO3 более эффективно работает в видимой области солнечного спектра. <...> Как известно [1], использование узкозонных полупроводниковых фотоанодов, таких как CdSе, CdS, CdTe в электрохимических ячейках, для эффективного превращения солнечной энергии в химическую ограничивается их разложением. <...> Некоторые данные о фотоэффектах и электрохимическом поведении этих полупроводников представлены в работах [2, 3]. <...> Например, в [4] поверхность полупроводника покрывали тонким слоем металла, а в [5–7] для предотвращения коррозии в раствор добавляли окислительно-восста61 новительные системы X2-, Xn 2- (X – S, Se, Te), поскольку халькогенид-ионы окисляются до полихалькогенида легче, чем материал электрода. <...> Для защиты узкозонных полупроводников от разложения используются также окисные полупроводники, такие как TiО2 и WO3. <...> Вместе с этим WO3 имеет более узкую запрещенную зону (Еg =2,7 эВ), чем TiО2 (Еg=3 эВ), и поэтому способен лучше разлагать воду под действием видимого света. <...> Целью данной работы было изучение электрохимического <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт