РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки/2013/№ 2/

ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОТОКА В СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С МАССИВОМ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК

Продемонстрирована возможность получения методом ионно-лучевой кристаллизации GaAs p-i-nгетероструктур с внедренным в i-область массивом InAs квантовых точек. Анализ результатов фотолюминесцентных исследований и измерений спектральной зависимости внешнего квантового выхода (AM1.5G, T = 300 K) выявил возрастание плотности тока (~1,1 %) в солнечных элементах на основе полученных гетероструктур GaAs(p):С/GaAs(i)-InAs(QD)/GaAs(n):Si.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: