Проведен анализ известных механизмов формирования поверхностно-барьерных структур на оксиде цинка. Исследована зависимость поверхностных и контактных свойств оксида цинка от температуры термообработки на воздухе и в вакууме. Установлено, что в зависимости от характера обработки поверхности оксида цинка контакты становятся выпрямляющими или омическими. Показано, что основным фактором, определяющим свойства контактов к оксиду цинка, является состояние поверхности полупроводника. Изучено влияние влажности на свойства этих контактов.