Предложены методы модификации свойств халькогенидов элементов первой группы. Исследована возможность достижения оптимальных значений термоэлектрической добротности путем соответствующего выбора химического потенциала и концентрации носителей заряда. Рассмотрена возможность направленного изменения электрофизических параметров материалов под действием проникающей радиации и получение оптимальных значений добротности. Процесс отжига обеспечивает стабилизацию параметров исследуемых соединений. Показана возможность оптимизации параметров соединений и получения максимального значения термоэлектрической эффективности.