Кинетика фотопроводимости при возбуждении высокочастотными импульсами

кинетика фотопроводимости фотопроводимость высокочастотные импульсы высокочастотное возбуждение импульсы света полупроводники рекомбинационные центры фотоэлектрические сигналы фототоки кремний

Устойчивость решений параболических уравнений с дробными производными, Синтез и свойства нанокристаллических пленок диоксида олова, полученных методом пиролиза аэрозолей, ...

В. А. Горюнов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин КИНЕТИКА ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ ВЫСОКОЧАСТОТНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ Аннотация. <...> Приведены результаты численных исследований кинетики фотопроводимости при возбуждении полупроводника высокочастотными импульсами света произвольной формы. <...> Кинетика фотопроводимости при выполнении условий j 1 от времени. <...> Она не зависит от времен жизни электронов и дырок. <...> Это позволяет восстановить временную форму высокочастотного импульса света. <...> Ключевые слова: кинетика фотопроводимости, рекомбинационные центры, времена жизни электронов и дырок, восстановление сигналов. <...> Key words: photoconductivity kinetics, recombination centers, lifetimes of electrons and holes, signal reconstruction Введение При регистрации высокочастотного оптического сигнала зависимость фототока от времени не повторяет временную зависимость оптического сигнала. <...> Часто требуется привести форму фототока к форме оптического сигнала (восстановления формы фотоэлектрического сигнала). <...> Зависимость фототока от времени в полупроводниках во многом определяется различными механизмами рекомбинации неравновесных носителей. <...> Какой конкретно механизм рекомбинации вносит более существенный вклад в зависимость фототока от времени, определяется уровнями инжекции неравновесных носителей заряда и степенью легирования полупроводника. <...> Кинетические кривые нарастания и спада фототока при возбуждении полупроводника импульсами света имеют сложный вид. <...> В этом случае темпы рекомбинации избыточных носителей заряда ( nR и pR ) задаются введением времен жизни электронов n и дырок p ;nn p Rn R p При этом n 2 RnpRnp . <...> Гиперболический закон изменения концентрации избыточных носителей тока справедлив при больших темпах генерации Q, когда преобладает рекомбинация зона–зона. определяется зависимостью величины темпа генерации 4 (24), 2012 Физико-математические науки. <...> Целью данной работы является исследование кинетики неравновесных носителей заряда при возбуждении <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт