Электродинамический анализ зон пропускания и запрещенных зон в спектре оптического фильтра на основе фотонного кристалла
            Проведено математическое моделирование дифракции электромагнитной волны на 3D-фотонно-кристаллической структуре декомпозиционным методом автономных блоков с каналами Флоке. Получены результаты электродинамического расчета коэффициента прохождения оптического излучения через оптический фильтр - 3D-фотонно-кристаллическую структуры на основе опаловой матрицы - в зависимости от частоты при различной толщине фотонного кристалла.
            Авторы
            
            Тэги
            
            Тематические рубрики
            
            Предметные рубрики
           
            В этом же номере:
            
            Резюме по документу**
            
                О. А. Голованов, Г. С. Макеева, А. С. Николенко
ЭЛЕКТРОДИНАМИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЗОН ПРОПУСКАНИЯ
И ЗАПРЕЩЕННЫХ ЗОН В СПЕКТРЕ ОПТИЧЕСКОГО
ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ ФОТОННОГО КРИСТАЛЛА
Аннотация. <...> Проведено математическое моделирование дифракции электромагнитной
волны на 3D-фотонно-кристаллической структуре декомпозиционным
методом автономных блоков с каналами Флоке. <...> Получены результаты
электродинамического расчета коэффициента прохождения оптического излучения
через оптический фильтр – 3D-фотонно-кристаллическую структуру на
основе опаловой матрицы – в зависимости от частоты при различной толщине
фотонного кристалла. <...> Введение
Оптические свойства фотонных кристаллов, в том числе положения запрещенной
фотонной зоны (полосы непропускания электромагнитной энергии),
зависят от периода, а глубина запрещенной зоны  от совершенства
структуры матрицы [1]. <...> В настоящее время достаточно отработана технология
изготовления фотонных кристаллов на основе опаловой матрицы из наносфер
двуокиси кремния
SiO 2 [2]. <...> Для того чтобы изготовить оптический
фильтр с требуемыми свойствами, необходимо провести анализ прохождения
оптического излучения через решетку опаловой матрицы ограниченных размеров
в зависимости от периода решетки (размера наносфер SiO2). <...> Дифракция электромагнитной волны на 3D-фотонно-кристаллической
структуре (при нормальном падении): 1с – амплитуда падающей волны;
с 1 – амплитуда отраженной волны; 2с  амплитуда прошедшей волны; 1о 1z ,
о 2 2z – локальные системы координат
В результате дифракции электромагнитной волны на 3D-фотоннокристаллической
структуре появляются отраженная волна с амплитудой 1с и
прошедшая волна с амплитудой 2с . <...> Прохождение электромагнитной волны через фотонно-кристаллическую
структуру на различных частотах характеризуется коэффициентом прохождения,
который определяется следующим образом:
kпр
  .
с 2
с1
Коэффициент прохождения принимает значения от пр 0 <...> 1,б) расчленяем <...> 
            
            ** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
            Похожие документы: