ФОРМИРОВАНИЕ НОВЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В ОСАЖДЕННЫХ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ АЛМАЗАХ

В осажденных из газовой фазы алмазах исследовано влияние изохронного вакуумного отжига при температурах до 1680 °C на процессы трансформации дефектов после облучения образцов быстрыми нейтронами либо имплантации ионов изотопов водорода (энергия иона 350 кэВ, дозы (2–12)·10^16 см^-2). Установлено, что границы зерен в поликристаллических алмазах существенно не влияют на процессы отжига радиационных дефектов и графитизации. В спектрах фотолюминесценции обнаружены и исследованы ранее не наблюдавшиеся в оптических спектрах алмазов полосы с максимумами на 580 нм, 730 нм и ряд полос в диапазоне 760–795 нм. Показано, что неоднородное распределение фотолюминесцирующих центров окраски вдоль поверхности имплантированного слоя обусловлено латеральной диффузией водорода (дейтерия) в области радиационного повреждения.

• Власов И.И.
• Ральченко В.Г.
• Хомич А.А.
• Хмельницкий Р.А.
• Карькин А.Е.
• Хомич А.В.

• Прикладные науки. Медицина. Технология

• Социальные (общественные) науки
• Естественные науки