Влияние облучения гамма-квантами на свойства p-n-переходов на основе GaAs

гамма-излучение облучение гамма-квантами вольт-амперные характеристики GaAs

Кривые в галилеевых пространствах с 4-мерными растранами, Подход к модернизации генетического алгоритма для решения систем линейных алгебраических уравнений, ...

С. В. Булярский, М. С. Ермаков ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ГАММА-КВАНТАМИ НА СВОЙСТВА p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ GaAs Аннотация. <...> При облучении образцов на основе GaAs гамма-квантами с энергией 1,25 МэВ было выявлено, что в образцах с дозой 0,3 Мрад, происходит уменьшение количества дефектов. <...> Для анализа экспериментальных данных применялась такая физическая величина, как приведенная скорость рекомбинации, которая обратна к времени жизни носителей заряда. <...> Наиболее важным представляется определение электрически активных дефектов, образовавшихся под действием ионизирующих излучений, а также выяснение их роли в изменении электрических свойств приборов. <...> Настоящая работа посвящена исследованию процессов, происходящих в диодах на основе арсенида галлия, до и после облучения их гаммаизлучением c энергией 1,25 МэВ. <...> До и после облучения измерялись вольт-амперные, вольт-емкостные характеристики приборов, а также проводилось исследование их термостимулированной емкости. <...> Поволжский регион уровня; n i – концентрация собственных носителей заряда; 1mn – концентрация носителей заряда для m-го уровня; N tm – концентрация глубокого уровня; q – заряд; k – постоянная Больцмана; T – температура; U – напряжение. <...> Таким образом, величина прR определяется только параметрами m и m , которые зависят лишь от природы глубоких уровней их концентрации и материала полупроводника. <...> Выражение (1) лежит в основе ряда методов определения энергии активации глубоких уровней из ВАХ [1, 2]. <...> (5) По начальному участку этой кривой легко можно определить предэкс 2 , после чего можно найти и , которые, в свою очередь, связанны с параметрами глубокого уровня [4]. <...> Физика Если число уровней больше единицы, то зависимость представляет собой суперпозицию аналогичных кривых. <...> На каждом участке кривой подбираются значения m и m таким образом, чтобы отклонение экспериментальной кривой от теоретической на этом участке было минимальным. <...> 1 приведен пример разложения <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт