Впервые определены зоны и плотности состояний анмтоинида индия InSb с учетом и без учета спин-орбитального взаимодействия для многих направенлий зоны Бриллюэна, в том числе с учетом остовных зон d- и s-типа. Рассмотрены вклады состояний -s,-,d-pтипа отдельно индия и сурьмы. Расчеты выпоылнен методом LAPW с обменно-корреляционным потенциалом в обобщенном градиентном приближении (LAPW + GGA). Установлены основные особенности влниияя спин-орбитальной связи на электронную структуру кристалла InSb.