Влияние переходных процессов в тонкопленочной гетероструктуре на надежность чувствительных элементов тензорезисторных датчиков давления

переходные процессы тонкопленочные гетероструктуры чувствительные элементы датчики давления тензорезисторные датчики тонкие пленки взаимодиффузия материалов

Джоульметрический метод контроля объектов с ионной проводимостью, Рефакторинг диаграмм управления выполнением стандарта IEC 61499, ...

И. А. Аверин, И. В. Волохов, Е. А. Мокров, Р. М. Печерская ВЛИЯНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ ПРОЦЕССОВ В ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ НА НАДЕЖНОСТЬ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ Рассматриваются переходные процессы в тонкопленочной гетероструктуре, механизм возникновения короткого замыкания из-за диффузии материала проводника в тонкую диэлектрическую пленку, оказывающие влияние на надежность чувствительных элементов тензорезисторных датчиков давления. <...> В реальных условиях время осаждения пленок резистивных сплавов из хрома и никеля, легированных алюминием, методом термического испарения в вакууме из вольфрамового испарителя составляет 40–45 с. <...> Учитывая, что толщины тонких резистивных пленок для чувствительных элементов тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления составляют около 100 нм, а процесс зарождения и образования островковой структуры ограничен условной толщиной пленок, равной 10–50 нм, весь процесс зарождения тонких пленок занимает доли секунды. <...> В объеме сформировавшихся сплошных пленок под воздействием внешних факторов возможно протекание процессов, связанных с неравновесным состоянием системы конденсат–подложка, обусловленным механическими напряжениями в тонкой пленке и подложке. <...> При наличии внешнего воздействия (например, деформация мембраны датчика с тонкопленочными тензорезисторами) эти напряжения релаксируют, что может привести к потере сплошности пленки. <...> В многокомпонентных тонких пленках протекают также твердофазные реакции, приводящие к изменению состава материала [1]. <...> Факторами, влияющими на свойства тонких ( 100 нм) резистивных пленок из сплава никеля и хрома (100 нм) на чувствительных элементах тензорезисторных датчиков давления, являются: – скорость осаждения тонких пленок; – время протекания процесса осаждения; – материал и температура подложки. <...> К факторам, определяющим нестабильность тонких резистивных пленок, относятся <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт