В 1979 году корпорацией Intel и лабораторией Bell Labs впервые было исследовано явление обратимого изменения состояния ячейки памяти ОЗУ или триггера, вызванное ионизирующим излучением (Single Event Upset, SEU). Это проявлялось как сбои в работе оперативной памяти типа DRAM. Разработчикам, которые намерены применять интегральные микросхемы в критичных к уровню безопасности приложениях, необходимо иметь представление о способах борьбы с данным явлением. Компании, занимающиеся разработкой и производством полупроводников (прежде всего радиационно-стойких ПЛИС), прибегают к различным методам борьбы с SEU. В статье рассматриваются технологии, применяемые для этой цели компанией Microsemi в микросхемах семейств SmartFusion2 SoC FPGA и IGLOO2 FPGA.