Созданы три типа ячеек памяти на фазовых переходах, отличающиеся устройством и размерами активной области. Рассмотрено влияние различных конструкций на характеристики ячеек и их работоспособность в целом. Показано, что наиболее критичным с точки зрения структуры является переключение ячейки из низкоомного в высокоомное состояние, проанализированы причины и определены пути совершенствования ячеек памяти на фазовых переходах.