РУАЭСТ (RUAEST)
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:
Седьмое поколение IGBT-модулей с новой SLC-технологией
Основными требованиями к силовым полупроводниковым компонентам являются высокая эффективность, большая плотность мощности и хорошая надежность. Для улучшения данных параметров компания «Мицубиси Электрик (Рус)» разработала новую линейку промышленных IGBT-модулей серии NX7. С целью снижения потерь в данных устройствах применяются новые чипы седьмого поколения, а добиться увеличения плотности мощности и надежности удалось за счет применения уникальной технологии корпусирования SLC.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Семинар «Новейшие 4,5-; 3,3- и 1,7-кВ IGBT-модули Hitachi по технологии nHPD2 и IHM»,
Новый силовой модуль MOSFET на основе карбидкремния,
...
Резюме по документу**
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: