Повышающий DC/DC-конвертер в чередования фаз на основе нового поколения карбидокремниевых MOSFET режиме

Появление фотоэлектрических (PV) инверторов и электрических транспортных средств (EV) требует повышения плотности мощности и эффективности преобразователей. Карбид кремния (SiC) является одним из кандидатов, способных удовлетворить эту потребность, поэтому интерес к SiC-технологии в последнее десятилетие непрерывно растет. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства PV-инверторов и конвертеров, используемых в электромобилях. В статье представлено новое поколение SiC MOSFET с напряжением 1200 В и током 20 А, используемых в 10-кВт повышающем преобразователе, работающем в режиме жесткого переключения с чередованием фаз на частоте до 100 кГц. Проведено сравнение по тепловым характеристикам и эффективности с высокоскоростными кремниевыми Н3 IGBT. В обоих случаях результаты показывают явное преимущество нового поколения SiC MOSFET.

• Лю
• Карташов Евгений
• Лебедев Андрей
• Аллен Скотт
• Вонг Кин
• Моокен Джон

• Технические науки. Промышленность