ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ СЛОИСТЫХ ФАЗ LaZnAsO1-δ СО СТРУКТУРОЙ ZrCuSiAs: FLAPW-GGA МОДЕЛИРОВАНИЕ
Представлено краткое обсуждение особенностей электронного строения слоистых фаз LaZnAsO1-δ со структурой типа ZrCuSiAs при δ=0,11 и 0,44 по результатам ab initio расчетов. Показано, что влияние кислородных вакансий на электронное строение нестехиометрических фаз эквивалентно влиянию электронного допанта, а зарядовая компенсация происходит внутри структурных блоков [La—О] за счет изменения заселенности состояний атомов лантана.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Представлено краткое обсуждение особенностей электронного строения слоистых фаз LaZnAsO1-δ со структурой типа ZrCuSiAs при δ=0,11 и 0,44 по результатам ab initio расчетов. <...> Показано, что влияние кислородных вакансий на электронное строение нестехиометрических фаз эквивалентно влиянию электронного допанта, а зарядовая компенсация происходит внутри структурных блоков [La—О] за счет изменения заселенности состояний атомов лантана. <...> Представлено краткое обсуждение особенностей электронного строения слоистых фаз LaZnAsO1-δ со структурой типа ZrCuSiAs при δ=0,11 и 0,44 по результатам ab initio расчетов. <...> Показано, что влияние кислородных вакансий на электронное строение нестехиометрических фаз эквивалентно влиянию электронного допанта, а зарядовая компенсация происходит внутри структурных блоков [La—О] за счет изменения заселенности состояний атомов лантана. <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: