РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Аспирант и соискатель/2016/№ 1/
В наличии за
100 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕСТРАИВАЕМЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ В ПЕРЕСТРАИВАЕМЫХ АНТЕННЫХ УСТРОЙСТВАХ

В настоящее время при разработке на основе сегнетоэлектрических пленок функциональных устройств микроэлектроники, таких как электронно-перестраиваемые СВЧ-компоненты в интегральном исполнении (фазовращатели, фильтры, резонаторы, фазированные антенные решетки), микрополосковые модуляторы для оптических систем связи, микроэлектромеханические системы (акселерометры, микропомпы, датчики давления, резонаторы), планарная топология электродов становится основой их конструктивной базы. Поэтому изучение особенностей проявления сегнетоэлектрического состояния при такой топологии электродов становится актуальной задачей [1].

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
В настоящее время при разработке на основе сегнетоэлектрических пленок функциональных устройств микроэлектроники, таких как электронно-перестраиваемые СВЧ-компоненты в интегральном исполнении (фазовращатели, фильтры, резонаторы, фазированные антенные решетки), микрополосковые модуляторы для оптических систем связи, микроэлектромеханические системы (акселерометры, микропомпы, датчики давления, резонаторы), планарная топология электродов становится основой их конструктивной базы. <...> Поэтому изучение особенностей проявления сегнетоэлектрического состояния при такой топологии электродов становится актуальной задачей [1]. <...> В настоящее время при разработке на основе сегнетоэлектрических пленок функциональных устройств микроэлектроники, таких как электронно-перестраиваемые СВЧ-компоненты в интегральном исполнении (фазовращатели, фильтры, резонаторы, фазированные антенные решетки), микрополосковые модуляторы для оптических систем связи, микроэлектромеханические системы (акселерометры, микропомпы, датчики давления, резонаторы), планарная топология электродов становится основой их конструктивной базы. <...> Поэтому изучение особенностей проявления сегнетоэлектрического состояния при такой топологии электродов становится актуальной задачей [1]. <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: