Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям

приборно-технологическое моделирование; саморазогрев; лавинный пробой; накопленная радиация; сужение запрещенной зоны.

Спиновые инжекторы и транзисторы для кремниевой спинтроники, Анализ устойчивости КМОП дифференциальных усилителей к воздействию накопленной дозы ионизирующих излучений, ...

УДК 621.382.32 Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям <...> Ю.А. Чаплыгин, Т.Ю. Крупкина, А.Ю. Красюков, Е.А. Артамонова Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Device-Technological Modeling of Integrated Circuit Electronics Elements with Improved Endurance to External Influences Y.A. <...> Artamonova National Research University of Electronic Technology, Moscow Проведен анализ особенностей использования средств приборнотехнологического моделирования для расчета электрических характеристик элементов интегральных схем в условиях различных внешних воздействий. <...> Ключевые слова: приборно-технологическое моделирование; саморазогрев; лавинный пробой; накопленная радиация; сужение запрещенной зоны. <...> Работа элементов интегральной электроники существенно зависит от внешних факторов – температуры, электрического поля, радиации. <...> Повышение температуры среды приводит к уменьшению тока таких элементов интегральной электроники, как МДП-транзисторы, а также к увеличению тока биполярных транзисторов. <...> В элементах силовой электроники, КНИ-транзисторах, влияние температуры проявляется в виде эффекта саморазогрева, который может привести к разрушению прибора [1]. <...> Рост электрического поля в МДП-транзисторах приводит к насыщению дрейфовой скорости носителей и уменьшению тока прибора. <...> Электрическое поле вызывает лавинный пробой pn-переходов в обратном включении, что важно для элементов интегральной силовой электроники, например планарных силовых транзисторов для интеллектуальных силовых ИС. <...> Примером такого воздействия может служить накопление положительного заряда в толстом слое скрытого оксида для КНИ-МОПтранзисторов, вызывающее возникновение паразитного канала на границе Si/SiO2 и увеличение тока стока прибора. <...> Для описания работы полупроводникового прибора используется базовая система дифференциальных уравнений, известная как диффузионно-дрейфовая модель, состоящая из трех уравнений: Пуассона <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт