Спиновые инжекторы и транзисторы для кремниевой спинтроники

Si; ферромагнитные металлы; диэлектрики; сплавы Гейслера; электрическая спин-инжекция; эпитаксиальные пленки; туннельный контакт; барьер Шоттки; спинтроника; спиновые транзисторы; КМОП интегральные схемы.

Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием, Верификация аппаратных описаний алгебраических блоков в среде MatLab, ...

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 681.124.23; 621.377.623.22 Обзор Спиновые инжекторы и транзисторы для кремниевой спинтроники <...> Н.И. Плюснин Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (г. Владивосток) Review Spin Injector and Transistors for Silicon Spintronics Institute of Automation and Control Processes of Far East Branch of the Russian Academy of Sciences, Vladivostok N.I. <...> Plyusnin Приведен обзор литературных данных по электрическим спининжекторам и транзисторам для кремниевой спинтроники, рассмотрено современное состояние исследований в этой области. <...> Ключевые слова: Si; ферромагнитные металлы; диэлектрики; сплавы Гейслера; электрическая спин-инжекция; эпитаксиальные пленки; туннельный контакт; барьер Шоттки; спинтроника; спиновые транзисторы; КМОП интегральные схемы. <...> A review of the literature data on electric injectors and spin transistors for silicon spintronics and the current state of researches has been presented. <...> Various structures for spin injection into silicon, the contact materials and the possible design of spin transistors for silicon spintronics have been described. <...> Keywords: Si; ferromagnetic metals; dielectrics; Geisler alloys; electric spininjection; epitaxial films; tunnel contact; Schottky barrier; spintronics; spin transistors; CMOS integrated circuits. <...> Один из них использование в качестве носителя информации в интегральных схемах не только заряда, но и спина электрона, т.е. использование спиновых устройств. <...> Спиновые устройства полупроводниковой электроники строятся в основном с элементами, которые служат для инжекции в полупроводник спин-поляризованных электронов, манипулирования их спином и его детектирования [13]. <...> В настоящей работе рассматривается электрическая инжекция спина из ферромагнитного контакта в кремний как наиболее подходящая для интеграции с кремниевой микроэлектроникой. <...> В работе рассмотрены материалы для спиновых инжекторов, ферромагнитные туннельные контакты к полупроводнику (кремнию) через изолятор (оксид) и барьер Шоттки, роль интерфейсов, а также полевые спин-транзисторы на основе магнитных туннельных контактов (МТК), управляемые как электрическим, так и магнитным <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт