Формирование двухкомпонентных вертикальных контактных структур для монтажа кристаллов интегральных схем

монтаж методом «перевернутого кристалла»; двухкомпонентные контактные структуры; электрохимическое осаждение.

Верификация аппаратных описаний алгебраических блоков в среде MatLab, Влияние сверхобменных взаимодействий на ферромагнитные свойства манганитов и кобальтитов, ...

УДК 621.3.049.77:544.654.2 Формирование двухкомпонентных вертикальных контактных структур для монтажа кристаллов интегральных схем <...> В.М. Рощин, И.Н. Петухов, К.С. Сеньченко, А.В. Рощина, Т.В. Шилина Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Formation of Two-Component Vertical Contact Structures for Installation Crystals of Chips V.M. <...> Shilina National Research University of Electronic Technology, Moscow Рассмотрены технологические возможности послойного электрохимического формирования вертикальных контактных структур на основе системы медь–олово для монтажа кремниевых кристаллов, в том числе по 3D-технологии. <...> Показана возможность фиксации посадочного зазора кристалл–плата для предотвращения замыкания контактных областей материалом припоя. <...> Ключевые слова: монтаж методом «перевернутого кристалла»; двухкомпонентные контактные структуры; электрохимическое осаждение. <...> Повышение степени интеграции полупроводниковых кристаллов интегральных схем (ИС) и производства многофункциональных схем (система на кристалле) приводит к возрастанию количества выводов на кристалле. <...> Нередко размер полупроводникового чипа определяется не совокупностью элементов на нем, а размером и количеством контактных площадок. <...> В настоящее время некоторые кристаллы ИС включают 400 и более выводов, которые могут занимать практически всю площадь чипа. <...> Одним из перспективных способов монтажа кристаллов является метод «перевернутого кристалла» (flip-chip). <...> Однако при малом шаге контактных областей (менее 200 мкм) проблемы, связанные с размазыванием пасты при отделении трафарета, перетеканием паяльной пасты и формированием выводов разного размера, приводят к образованию короткозамкнутых перемычек или к браку контактирования [1]. <...> Для увеличения количества контактов и плотности их размещения применяется бампирование проволокой диаметром 80–100 мкм. <...> Несмотря на то что данная операция выполняется на специальном автоматизированном оборудовании, число сформированных вертикальных контактов на кристалле <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт