Анализ методов разбраковки на основе 3D-рендеринга в технологическом процессе производства изделий микроэлектроники

3D-рендеринг; повышение достоверности измерений; автоматизированная система контроля; алгоритмы.

Исследование фотоэлектрических свойств образцов высокоомного теллурида кадмия-цинка, Узкоспектральные фоточувствительные структуры на основе J-агрегатов цианиновых красителей, ...

УДК 004.94+62-529 Анализ методов разбраковки на основе 3D-рендеринга в технологическом процессе производства изделий микроэлектроники <...> Л.Г. Гагарина, П.А. Федоров Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Analyze of examination methods based on 3D-rendering in technological process production of microelectronic devices L.G Gagarina, P.A. <...> Fedorov National Research University of Electronic Technology, Moscow Представлены результаты анализа методов разбраковки на основе 3Dрендеринга в технологическом процессе производства изделий микроэлектроники. <...> Методы разбраковки на основе 3D-рендеринга предполагают значительное увеличение скорости и повышение точности обработки результатов анализа нарушений технологического процесса производства изделий микроэлектроники. <...> В настоящей работе осуществлена формализация проблемы реализации непредвзятого 3D-рендеринга с целью повышения достоверности измерений при анализе нарушений технологического процесса производства. <...> Как известно, любое графическое представление объектов 3D-сцены в связи с ограниченностью вычислительных ресурсов является приближенным решением специального интегрального уравнения – «уравнения рендеринга»: Lout p w Lemmited p w + BRDF p w w' Ldirect p wi )cos(n w') N ( , ) N i 0 1 Л.Г. Гагарина, П.А. Федоров, 2016 Известия вузов. <...> (1) Краткие сообщения где Lemmited(p,w) – количество энергии света, излучаемого из точки p в направлении вектора w; BRDF(p,w,w') – двунаправленная функция отражательной способности поверхности, которая показывает количество энергии, передаваемой в ходе отражения света в точке p из w' в направлении w (зависит от свойств материала поверхности); cos(n,w') – косинус угла между нормалью поверхности в точке p и «входящим» направлением w'; L – общее число источников света сцены; Lindirect включает в себя сумму второго и третьего слагаемых уравнения (без первого – Lemmited!), но для «следующей» точки в трассировке пути, которая лежит в направлении w' относительно точки p. <...> Особенность базового алгоритма трассировки лучей обработка лишь одного <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт