Двухсекционная низкочастотная эквивалентная схема зеленых InGaN-светодиодов для описания шумовых характеристик

гетеропереходный светодиод; низкочастотный шум; средний квадрат низкочастотного шумового тока; токовая зависимость; шумовая эквивалентная схема; генераторы шумового тока; туннельно-рекомбинационные процессы.

Дельта-сигма-модулятор для мультистандартной обработки сигналов, Применение табличных моделей туннельных эффектов для ускорения SPICE-моделирования нанометровых МОП-транзисторов, ...

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 621.391.822 Двухсекционная низкочастотная эквивалентная схема зеленых InGaN-светодиодов для описания шумовых характеристик <...> Shirokov1 1Ulyanovsk Branch of Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics of the Russian Academy of Sciences 2Ulyanovsk State Technical University Для объяснения токовых зависимостей среднего квадрата низкочастотного шумового тока зеленых InGaN-светодиодов предложена двухсекционная низкочастотная шумовая эквивалентная схема светодиода. <...> Показано, что немонотонный характер зависимостей низкочастотного шума светодиодов от тока инжекции можно объяснить действием двух генераторов низкочастотного шума: генератора шумового тока, локализованного вблизи гетерограницы и определяемого туннельно-рекомбинационными процессами на интерфейсе, и генератора, определяемого рекомбинационными процессами в объеме активной области структуры. <...> Ключевые слова: гетеропереходный светодиод; низкочастотный шум; средний квадрат низкочастотного шумового тока; токовая зависимость; шумовая эквивалентная схема; генераторы шумового тока; туннельно-рекомбинационные процессы. <...> Так, в [7] на основе анализа зависимостей уровня НЧ-шума InGaN-светодиодов от тока инжекции показано, что НЧ-шум несет информацию о вкладе протяженных и точечных дефектов гетероструктуры светодиода в процессы безызлучательной рекомбинации. <...> Однако в ряде случаев экспериментальные результаты не дают достоверных данных о месте локализации источников НЧ-шума в гетероструктуре, их относительной доле в шумовом сигнале, регистрируемом на электродах прибора, их зависимости от внешних воздействий (тока, температуры и др.) <...> . Известно [1], что эффективность и достоверность диагностики качества полупроводниковых изделий по характеристикам НЧ-шума могут быть повышены на основе анализа шумовых эквивалентных схем, содержащих источники шума и пассивные элементы структуры. <...> Цель настоящей работы – детальное исследование зависимостей <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт