Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста

позитивный фоторезист; отрицательный угол; «взрывная» литография; электрохимическое осаждение.

Атомно-слоевое осаждение: реакторы и применение, Математическое моделирование влияния концентрации примеси на величину тока стока КНИ полевого датчика Холла, ...

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 621.384.4 Влияние режимов фотолитографического цикла на величину отрицательного угла маски из позитивного фоторезиста <...> Герасименко2,3 1НПК «Технологический центр» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 3Национальный исследовательский Томский государственный университет Influence of Photolithographic Process Conditions on Obtaining a Negative Tilt of Thick Positive Photoresist Mask A.A. <...> Gerasimenko2,3 1SMC «Technological Centre», Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow 3National Research Tomsk State University Разработана и экспериментально исследована технология формирования отрицательного угла наклона толстой фоторезистивной маски для применения во «взрывной» литографии и для электрохимического осаждения металлов. <...> Приведен возможный диапазон изменения профиля фоторезистивной маски и обоснованы механизмы управления углом наклона. <...> Один из главных факторов успешного выполнения данного типа литографии наличие отрицательного угла наклона маски фоторезиста, облегчающего процесс удаления «жертвенного» слоя. <...> Основными описанными в литературе методами получения отрицательного угла маски являются: <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 4 2015 Краткие сообщения - выполнение стандартного фотолитографического цикла с использованием негативного фоторезиста [1]; - формирование фоторезистивной маски при помощи реверсивного фоторезиста (Image Reversal Resist) [2]; - использование LOR-резистов (Lift-off Resist) [3]; - методы, включающие в себя снижение растворимости верхней части фоторезиста перед проявлением [4]. <...> Авторами предложена новая методика формирования отрицательного угла наклона стенок у маски позитивного фоторезиста. <...> В основе метода двухстадийное (или многостадийное) нанесение фоторезиста с промежуточным экспонированием, цель которого увеличение степени растворимости в проявителях нижнего слоя. <...> За счет изменения времени промежуточного экспонирования достигается управляемость скоростью растворения нижнего слоя фоторезиста, что позволяет формировать <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт