Использование кода Хэмминга для исправления двойных сбоев в смежных разрядах памяти в аппаратуре космического назначения
Рассматривается способ исправления двойных сбоев в смежных разрядах памяти на основе подбора специальных синдромов ошибок для кода Хэмминга. С этой целью вводится еще один дополнительный контрольный разряд. Исправление сбоев смежных разрядов особенно актуально при разработке аппаратуры космического назначения, которая должна функционировать без сбоев в условиях воздействия тяжелых заряженных частиц.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 51-74
Использование кода Хэмминга
для исправления двойных сбоев в смежных разрядах памяти
в аппаратуре космического назначения <...> П.М. Еремеев
АО «Научно-исследовательский институт «Субмикрон» (г. Москва)
Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Use of Hamming Code to Correct Double Errors
in Adjacent Memory Bits in Space Equipment <...> Eremeev
«Scientific research institute «Submicron» JSC, Moscow
National Research University of Electronic Technology, Moscow
Рассматривается способ исправления двойных сбоев в смежных разрядах
памяти на основе подбора специальных синдромов ошибок для кода Хэмминга. <...> Исправление
сбоев смежных разрядов особенно актуально при разработке аппаратуры космического
назначения, которая должна функционировать без сбоев в условиях
воздействия тяжелых заряженных частиц. <...> Классическим способом защиты элементов памяти от сбоев является применение кодов
Хэмминга [1], которые используются в большинстве бортовых компьютеров, но они обеспечивают
исправление ошибок только в одном разряде слова. <...> С уменьшением топологических норм элементов памяти растет вероятность того, что зона
пространственного заряда от воздействия тяжелых заряженных частиц может захватить два и
более соседних разрядов. <...> В работе [2] показано, что для коммерческой технологии 90 нм многократные,
преимущественно двойные сбои превалируют над однократными сбоями при воздействии
частиц с линейными потерями энергии 7 МэВ·см2/мг и более при углах падения, отличных
от нормали к поверхности кристалла. <...> В [3] рассматривается влияние угла падения
тяжелых заряженных частиц и записанного кода на кратность сбоев в микросхемах сверхоперативного
запоминающего устройства при различных энергиях частиц. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 3 2015
321
Краткие сообщения
При использовании классического кода Хэмминга, если длина информационного слова составляет
m двоичных разрядов, к ним добавляется k контрольных разрядов, при этом количество
контрольных разрядов определяется из неравенства
2k m+k+1. <...> (1)
Контрольные разряды <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: