Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур

дефектность подзатворного диэлектрика; МОП-транзистор; надежность; контроль параметров технологического процесса.

КМОП-матрица формата 320240 элементов для спектрального диапазона 35 мкм на основе PtSi, Локальное электрохимическое осаждение пермаллоя на кремниевые пластины с магниторезистивными наноструктурами, ...

МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 621.3.049.77 Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур <...> А.С. Сивченко Национальный исследовательский университет «МИЭТ» НПК «Технологический центр» (г. Москва) Methods of Determination of Defects of Gate Dielectric Using Accelerated Tecting of Test Structures A.S. <...> Sivchenko National Research University of Electronic Technology, Moscow SMS «Technology Center», Moscow Разработаны методика и автоматизированная программа, позволяющие с помощью ускоренных измерений тестовых структур в составе пластин определять дефектность диэлектрика и оценивать его время наработки до отказа. <...> Приведены результаты расчета дефектности диэлектрика с учетом влияния границы изоляции и диффузии. <...> Ключевые слова: дефектность подзатворного диэлектрика; МОП-транзистор; надежность; контроль параметров технологического процесса. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 3 2015 Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика... <...> Одним из способов повышения функциональности ИС является увеличение степени интеграции ИС за счет перехода к меньшим проектным нормам. <...> Поэтому надежность ИС становится все более актуальной, особенно для микросхем специального назначения и космического применения, где, с одной стороны, необходим переход к более производительным ИС за счет уменьшения проектных норм, а с другой стороны, необходимо обеспечивать высокую степень их надежности в условиях космического пространства–среды с агрессивным радиационным воздействием, способствующей ускоренному проявлению отказов в ИС. <...> Данный стандарт лежит в основе автоматизированных программ для контроля дефектности диэлектрика фирм Agilent и Keithley [2, 3]. <...> Разработанная методика и программа измерений на ее основе лишены этих недостатков, так как расчет дефектности диэлектрика происходит параллельно с измерением значений заряда пробоя в автоматическом режиме. <...> Механизм отказа подзатворного диэлектрика При приложении электрического <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт