Методы подавления оптической связи между ячейками матрицы кремниевых фотоумножителей
Экспериментально исследованы способы подавления оптической связи между ячейками в кремниевых фотоэлектронных умножителях. Рассмотрены механизмы подавления оптической связи и показана степень влияния каждого из них. Исследован способ разделения светочувствительных ячеек на основе вытравливания V-образных канавок. Показана принципиальная возможность снижения оптической связи между ячейками с 2040 % до 0,10,7 % в диапазоне перенапряжения 25 В соответственно.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 621.383.523
Методы подавления оптической связи
между ячейками матрицы кремниевых фотоумножителей <...> Герасименко3,4
1НПК «Технологический центр» (г. Москва)
2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»
3Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
4Национальный исследовательский Томский государственный университет
Methods for Optical Cross-Talk Suppression
between Cells in a Matrix of Silicon Photomultipliers
A.A. <...> Gerasimenko3,4
1SMC «Technological Centre», Moscow
2National Research Nuclear University MEPhI, Moscow
3National Research University Electronic Technology «MIET»
4National Research Tomsk State University
Экспериментально исследованы способы подавления оптической связи
между ячейками в кремниевых фотоэлектронных умножителях. <...> Исследован способ разделения светочувствительных ячеек на основе
вытравливания V-образных канавок. <...> Показана принципиальная возможность
снижения оптической связи между ячейками с 2040 % до 0,10,7 %
в диапазоне перенапряжения 25 В соответственно. <...> Ключевые слова: кремниевые фотоэлектронные умножители; подавление
оптической связи; V-образные канавки. <...> Для различных областей применения используются фотоумножители, которые
показывают оптимальные результаты. <...> Сравнительные характеристики лавинных
фотодиодов (ЛФД), PIN-фотодиодов (PIN), вакуумных фотоэлектронных умножителей
(ФЭУ) и гейгеровских кремниевых фотоумножителей (SiФЭУ) приведены в таблице. <...> Параметр
Эффективность
регистрации света
(420 нм), %
Величина усиления
сигнала, раз
Шум-фактор, ENF
Пороговая чувствительность
фотоэлектронов
Разброс времени срабатывания/10
фотоэлектронов, пс
Напряжение смещения, В
Работа в магнитном поле
Сравнительные характеристики фотодетекторов
Тип фотоумножителя
ФЭУ
ЛФД
6070
100200
2
10
1000
1001000
PIN
6070
1
1
1000
10100
Возможна Возможна
30
106107
1,154,0
1
100
10002000
Сложно
или невозможно
SiФЭУ быстро развивающийся тип фотодетекторов, являющихся основой для
решения широкого круга научных и прикладных задач, где требуется регистрация импульсного
излучения малой интенсивности. <...> К основным преимуществам <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: