РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Электроника/2015/№ 3/
В наличии за
140 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

КМОП-матрица формата 320240 элементов для спектрального диапазона 35 мкм на основе PtSi

Приведены результаты разработки и исследований матричного фотоприемного устройства формата 320×240 элементов на основе фотодиодов из силицида платины для спектрального диапазона 35 мкм. Разработка выполнена целиком по КМОП-технологии. Показано, что матричное фотоприемное устройство имеет возможность регулировки времени накопления фотосигнала при фиксированной кадровой частоте и позволяет вычитать постоянную составляющую фона в выходном устройстве.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
УДК 621.384.4 КМОП-матрица формата 320240 элементов для спектрального диапазона 35 мкм на основе PtSi А.М. <...> Попов1 1Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 2ОАО «Швабе-Фотосистемы» (г. Москва) CMOS Array of 320240 Elements for Spectral Range of 3–5 µm Based on PtSi Photodiodes A.M. <...> Popov1 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2OAO «Shvabe-Fotosistemy», Moscow Приведены результаты разработки и исследований матричного фотоприемного устройства формата 320Ч240 элементов на основе фотодиодов из силицида платины для спектрального диапазона 35 мкм. <...> The results of the development and studies on the focal plane array (FPA) of the format 320x240 on the PtSi basis have been presented. <...> Фотоэлектрические параметры диодов Шоттки на основе PtSi. <...> Исследование фотоэлектрических и электрофизических параметров фотодиодов выполнено на тестовых элементах, встроенных по краям фоточувствительного поля матрицы. <...> [4] описаны теоретические исследования фотоэлектрических параметров фотодиодов Шоттки. <...> Типичная спектральная характеристика фотодиода Шоттки при Т = 77 К приведена на рис1. <...> Спектральная характеристика фотодиода Шоттки при Т = 77 К S C1(1 2 0 , где 0 – граничная длина волны чувствительности фотодиодов Шоттки. <...> Константа эмиссии С1 определена теоретически и составляет 0,10,12 А/Вт. <...> Полученные значения константы эмиссии С1 несколько ниже приведенных в зарубежной литературе максимальных значений (0,150,25 А/Вт). <...> При разработке схемотехнических решений считывания фотопотенциала использованы принципы, изложенные в работе [5]. <...> Матрица содержит два вертикальных регистра сдвига, регистр хранения, горизонтальный регистр считывания и выходной узел, состоящий из мощного истокового повторителя и транзистора привязки к уровню черного, который позволяет вычитать постоянную (фоновую) составляющую сигнала. <...> Левый вертикальный регистр сдвига обеспечивает вертикальную развертку, правый – установку фоточувствительных элементов в исходное состояние, горизонтальныйгоризонтальную <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: