Выбор оптимальных режимов измерений в сканирующей электропроводящей микроскопии

сканирующая электропроводящая микроскопия; кантилевер; проводимость; полупроводники; наноразмерные элементы.

Выставка «Электроника-2014» (г. Мюнхен, Германия), Об эквивалентности физико-вероятностного и физикостатистического подходов к построению моделей надежности на примере деградации механических элементов МЭМС, ...

Шевяков2 1ЗАО «НТ-МДТ» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Selection of Measurements Optimal Conditions in Scanning Electrical-Conductivity Microscopy S.V. <...> Shevyakov2 1CJSC «NT-MDT», Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow Приведены результаты исследования транспортных свойств в сканирующей электропроводящей микроскопии. <...> Выявлена корреляция необходимого усилия прижатия проводящего кантилевера к исследуемой поверхности, обеспечивающего тесный контакт, с твердостью материала и толщиной проводящего покрытия кантилевера. <...> Показано, что в ходе исследований при повышенных значениях разности потенциалов, с одной стороны, необходимо учитывать возможный эффект перераспределения материала проводящего покрытия с поверхности кантилевера на исследуемый образец, с другой – возможность обеспечения более высокого разрешения при исследовании топографии образца проводящим кантилевером. <...> The results of the studies on the scanning electrical-conductivity Transport Properties have been shown. <...> Сканирующая зондовая микроскопия – один из современных методов исследования морфологии и локальных свойств поверхности объектов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 2 2015 Выбор оптимальных режимов измерений... интерес для исследования проводящих нанообъектов, в том числе проводящих элементов наноэлектроники, представляет сканирующая электропроводящая микроскопия (СЭПМ), использующая режим атомно-силовай микроскопии (АСМ) в контактной моде и проводящий кантилевер. <...> СЭПМ обеспечивает одновременное измерение топографии поверхности проводящих объектов и исследование растекания электрического тока на том же участке поверхности. <...> В результате получают изображения топографии и картины растекания тока [1–3]. <...> Преимуществом СЭПМ является принципиальная возможность фиксировать объекты, которые меньше диаметра острия иглы кантилевера. <...> Это связано с тем, что картина растекания тока в отличие от топографической дает более полную информацию о проводимости нанообъектов. <...> При сканировании поверхностей <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт