РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Известия высших учебных заведений. Электроника/2015/№ 1/
В наличии за
140 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Исследование мультиграфеновых структур на основе квантово-химической модели

Методом теории функционала плотности исследована электронная структура мультиграфена. Определена зависимость усредненного межплоскостного расстояния от числа слоев (n = 2,...,6). Проведен анализ перераспределения заряда и электронной плотности двух- и трехслойного мультиграфенов под действием одноосного сжатия при давлении до 50 ГПа.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS УДК 538.911; 539.231 Исследование мультиграфеновых структур на основе квантово-химической модели А.М. Бокова, А.В. Тучин, Л.А. Битюцкая Воронежский государственный университет Investigation of Few-Layer Graphene Structures Based on Quantum-Chemical Model A.M. <...> Определена зависимость усредненного межплоскостного расстояния от числа слоев (n = 2,...,6). <...> Проведен анализ перераспределения заряда и электронной плотности двух- и трехслойного мультиграфенов под действием одноосного сжатия при давлении до 50 ГПа. <...> The electronic structure of the few-layer graphene has been studied using the density functional theory (DFT). <...> The analysis of the charge redistribution and the electron density of the bi - and three-layer graphene under the uniaxial compression up to 50 GPa has been performed. <...> Мультиграфен (МГ) – двумерная аллотропная модификация углерода, образованная несколькими слоями графена [1–3]. <...> МГ сочетает в себе достоинства графена (малое электросопротивление, высокая теплопроводность, прозрачность) и превосходит его в стабильности и жесткости [4, 5]. <...> В некоторых работах экспериментально показана модуляция запрещенной зоны в интервале Бокова А.М., Тучин А.В., Битюцкая Л.А., 2015 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 1 2015 5 А.М. Бокова, А.В. Тучин, Л.А. Битюцкая Eg = 0–250 мэВ в МГ с приложением электрического поля, направленного перпендикулярно слоям [9]. <...> Нарушение граничных условий является причиной увеличения межплоскостного расстояния в МГ по сравнению с графитом, что имеет важное прикладное значение [10–12]. <...> В работе [11] без химической модификации МГ получена его суспензии в воде и органических растворителях (осадок не выпадал через 6 месяцев), что существенно упрощает осаждение на подложки в отличие от нерастворимого графена. <...> Активно исследуются барические зависимости электросопротивления МГ [14]. <...> Определение зависимости межслоевого расстояния от давления является важной задачей при разработке наноэлектромеханических устройств, аккумуляторов высокой <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: