РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Компоненты и технологии/2015/№ 3(164)/
В наличии за
50 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

Проблемы тестирования микропроцессорных реле защиты на устойчивость к преднамеренным электромагнитным деструктивным воздействиям

В данной статье оцениваются результаты проведенных двумя американскими компаниями исследований микропроцессорных реле защиты на устойчивость к преднамеренным деструктивным электромагнитным воздействиям, рассматриваются особенности устройств релейной защиты, уточняется и дополняется методика их тестирования.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Начало в 12 ’2014 Проблемы тестирования микропроцессорных реле защиты на устойчивость к преднамеренным электромагнитным деструктивным воздействиям Владимир ГУРЕВИЧ, <...> В данной статье оцениваются результаты проведенных двумя американскими компаниями исследований микропроцессорных реле защиты на устойчивость к преднамеренным деструктивным электромагнитным воздействиям, рассматриваются особенности устройств релейной защиты, уточняется и дополняется методика их тестирования. <...> Введение В предыдущей статье на эту тему [1] автором были подробно проанализированы нормативные документы, относящиеся к проблеме преднамеренных электромагнитных деструктивных воздействий (ПЭДВ) на микропроцессорные реле защиты (МУРЗ), обоснован выбор видов испытаний, сформулированы требования к параметрам испытательных воздействий, сделан обзор технических средств, обеспечивающих проведение этих экспериментов. <...> Анализ результатов выполненных ранее испытаний показал, что применяемые методы, критерии качества функционирования и параметры испытательных воздействий не всегда бывают выбраны корректно, в результате полученные данные не позволяют однозначно судить об устойчивости МУРЗ к ПЭДВ. <...> Использование критерия качества функционирования при испытаниях электронной аппаратуры на электромагнитную совместимость Реакция испытуемого объекта (ИО) на электромагнитные воздействия (ЭВ) может быть различной. <...> Допустимый для данного типа ИО и для данного типа испытаний вид реакции на электромагнитные воздействия называется критерием качества функционирования (ККФ) и является важнейшим показателем при испытаниях на электромагнитную совместимость (ЭМС), поскольку от его правильного выбора зависит вывод о том, прошло данное устройство конкретное испытание успешно или нет. <...> Как правило, все ограничивается фразой типа: «Выбор степеней жесткости, критериев качества функционирования осуществляют лица, разрабатывающие <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: