Методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки

методика восстановления транзистор

Инструменты анализа схем электрических принципиальных в программной среде NI Multisim 12.0., Краткая история электричества, или Почему «умные дома» питаются постоянным током, ...

158 технологии Методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки Алексей КОНДРАТЕНКО alkon@micran.ru Геннадий ГЛАЗОВ, <...> gng@micran.ru В статье представлена разработанная авторами методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки по результатам измерений параметров рассеяния тестовых элементов на пластине. <...> Такие бесструктурные модели обладают высокой точностью, поскольку они получены непосредственно по результатам измерения активного прибора и учитывают все внутренние взаимные связи, в то время как физическая модель или эквивалентная схема всегда остаются приближенными [1]. <...> Сегодня есть довольно много публикаций, посвященных методикам восстановления линейной модели полевого транзистора с затвором Шоттки на основе экспериментальных результатов измерений S-параметров тестовых элементов [2, 3]. <...> И в каждом случае справедливым будет утверждение, что предварительная процедура формирования тестовых элементов и алгоритм обработки экспериментальных данных в совокупности определяют как применимость той или иной методики восстановления модели транзистора в принципе, так и степень соответствия данной модели реальной структуре. <...> Выбор метода выделения параметров модельного элемента При формировании тестовых элементов на пластине неизбежно добавление контактных площадок для подключения зондов СВЧ, а также подводящих линий, обеспечивающих расстояние между зондами не менее того, при котором была выполнена калибровка измерительного прибора, чтобы паразитная электромагнитная связь между зондами не повлияла на результаты измерений. <...> 1 приведена фотография тестового элемента — транзистора с высокой подвижностью электронов (pHEMT) с суммарной шириной затвора 400 мкм, выполненного на основе технологического GaAs-процесса ЗАО «НПФ «Микран» (г. Томск). <...> Таким образом, возникает задача выделить параметры модельного <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт