КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ MgSiO3

ab initio расчеты образование дефектов структурные свойства.

ПЛЕНКИ ТВЕРДОГО РАСТВОРА PdxCe1–xO2 КАК МОДЕЛЬНЫЙ ОБЪЕКТ ДЛЯ ИЗУЧЕНИЯ ХИМИИ ПОВЕРХНОСТИ КАТАЛИЗАТОРОВ Pd/CeO2 МЕТОДОМ РФЭС, ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ И ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ИМИДОИЛАМИДИНАТОВ ДИПРОПИЛА БОРА, ...

Том 56, 3 УДК 544.22.022.342 КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ MgSiO3 А.Н. Чибисов Вычислительный центр Дальневосточного отделения РАН, Хабаровск, Россия E-mail: andreichibisov@yandex.ru Статья поступила 6 марта 2014 г. Методом функционала электронной плотности исследовано образование точечных дефектов по Шоттки в керамике MgSiO3. <...> Показано, что образование вакансии Mg в положении Mg2 почти на 1 эВ выгоднее, чем в положении Mg1. <...> Наиболее энергетически выгодным дефектом является вакансия кислорода в положении O3 в решетки энстатита. <...> Приведены результаты по влиянию вакансий атомов на структурные свойства MgSiO3. <...> Стеатитовая керамика (MgSiO3, энстатит) является широкощелевым диэлектриком и благодаря высокой диэлектрической и механической прочности, влагоустойчивости широко используется в электронике, электротехнике и энергетике в качестве компонента для производства высоковольтных электроизоляторов и высокочастотной керамики [ 1 ]. <...> Энстатит является низкотемпературной модификацией MgSiO3, которая при нагревании переходит в протоэнстатит, а при охлаждении в клиноэнстатит [ 3 ]. <...> Так называемая ″low-P фаза″ протоэнстатита имеет ромбическую структуру с пространственной группой Pbcn с числом формульных единиц Z = 8 и параметрами элементарной ячейки a = 9,2554(4), b = 8,7650(5), c = 5,3333(2) Е при давлении 0 ГПа [4 ]. <...> Точечные дефекты в решетке энстатита могут очень сильно влиять на его структурные, механические, электронные, а следовательно, и оптические свойства [ 5—7]. <...> Поэтому цель данной работы состояла в теоретическом (квантово-механическом) расчете точечных дефектов в структуре энстатита. <...> Все расчеты полной энергии в обобщенно-градиентном приближении (GGA) проводили с помощью теории функционала электронной плотности [ 10 ], реализованной в программном пакете Abinit [ 11 ]. <...> Псевдопотенциалы для атомов Mg, Si и O, полученные при помощи программы fhi98PP, взяты из пакета Abinit [ 12 ]. <...> Для моделирования Чибисов А.Н., 2015 ЖУРНАЛ <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт