Влияние состава пучка кластерных ионов на дефектообразование в мишени

кластерные ионы кремний на сапфире распыление аморфизация планаризация РОР.

Суперкомпьютерное моделирование процесса напыления тонких пленок диоксида кремния с использованием программы LAMMPS, Генерация ветровых волн на чистой воде и при наличии нефтяной пленки, ...

Исследовано образование дефектов в пленках кремния на сапфире под действием облучения пучком газовых кластерных ионов аргона с энергией 30 кэВ. <...> С помощью методики обратного резерфордовского рассеяния в режиме каналирования обнаружено образование существенного количества дефектов в объеме образца при облучении не сепарированным по массе пучком кластерных ионов. <...> При удалении из пучка атомарных и легких кластерных ионов осуществляется бездефектное травление образцов. <...> Введение В последнее десятилетие среди ионно-пучковых методик модификации и исследования поверхности активно развивается направление, связанное с использованием газовых кластерных ионов. <...> Газовые кластеры содержат от нескольких атомов до нескольких десятков тысяч атомов, связанных силами Ван-дер-Ваальса. <...> Кроме того, в отличие от атомарных ионов, при ударе ускоренного кластера о поверхность большое количество слабо связанных атомов, составляющих кластер, взаимодействует с как минимум таким же количеством атомов мишени. <...> За счет специфических угловых распределений распыленного вещества и зависимости коэффициента распыления от угла падения кластера при облучении поверхности кластерными ионами наблюдается уменьшение шероховатости до уровня в несколько ангстрем [2]. <...> При этом важным преимуществом кластерной обработки является отсутствие дефектообразования в мишени. <...> Тем не менее, в ряде промышленных установок для кластерной обработки поверхности масс-селекция пучка ионов не осуществляется. <...> В результате на обрабатываемую поверхность мишени попадают, кроме кластерных ионов, ускоренные атомарные ионы, что может приводить к негативным с точки зрения качества поверхности эффектам. <...> В настоящее время для производства радиационно-стойких микросхем используются так называемые КНС-структуры: пленки кремния на сапфире <...> Получить пленки кремния на сапфире с небольшим количество структурных дефектов в интерфейсном слое <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт