Технологии, меняющие мир

технические открытия изобретения композитные материалы армирование композитных материалов носители информации компьютеры голографические проекторы

Слово оппонентам: расхождение позиций, Технология CCS - решение парниковой проблемы?, ...

Поскольку традиционные микроразмерные армирующие компоненты плохо реагируют на такое управляющее воздействие, их пришлось предварительно покрывать суперпарамагнитными наночастицами. <...> Выполнив несложные расчеты, исследователи выяснили, что магнитного поля с индукцией всего в 0,8 мТл будет достаточно для ориентирования немагнитных пластин и стержней длиной в 5 и 10 мкм с нанесенными на них наночастицами оксида железа. <...> Ориентация микроразмерных элементов в этом случае зависела от того, какая часть их поверхности скрыта суперпарамагнитными наночастицами. <...> Специалистам из IBM и германского научного центра CFEL впервые удалось использовать особую форму магнетизма — антиферромагнетизм — для хранения данных. <...> Так, практическая значимость эффекта гигантского магнитосопротивления, открытого в конце 1980-х годов с помощью громоздких и сложных установок молекулярно-лучевой эпитаксии, позволявших получать многослойные пленочные структуры нанометровой толщины в условиях сверхвысокого вакуума, тоже стала ясна не сразу и лишь через 15 лет произвела настоящую революцию в индустрии компьютерной памяти, позволив конструировать жесткие диски со сверхвысокой плотностью записи, которыми все сейчас успешно пользуются, а также экспериментальные чипы на основе магнитной памяти (MRAM), которым прочат большое будущее. <...> Впервые группа IBM—CFEL опытным путем установила предельно минимальный размер электромагнитного устройства памяти, работа которого еще описывается законами классической электродинамики. <...> Уменьшать его дальше, оставаясь в пределах классической теории, невозможно: в действие вступают квантовые эффекты, размывающие хранимую в ячейках информацию. <...> Миниатюрную атомную ячейку памяти можно использовать как удобный испытательный полигон для контролируемого перехода от классической к квантовой электронике и обкатке смешанных классическо-квантовомеханических устройств памяти. <...> Разработчики отмечают <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт