Квантовые объекты нанотехнологий: свойства, применения, перспективы

объекты нанотехнологии квантовые точки углеродные нанотрубки графен

Смешанное моделирование дискретных устройств с использованием автоматической декомпозиции макромодели функционального блока в модели элементов, Симулятор рентгеновского дифрактометра, ...

Н.Э. Баумана, 105005, Москва, Россия В статье дано подробное описание основных квантовых объектов нанотехнологий: квантовых точек, углеродных нанотрубок и графена. <...> В статье описаны методы получения квантовых точек, их физические свойства, а также свойства углеродных нанотрубок и графена. <...> Значительное внимание уделено анализу уже существующего практического применения квантовых объектов нанотехнологий и обсуждению его широких перспектив. <...> Отмечается, что необходимым условием успешного освоения нанотехнологий в нашей стране является изучение студентами квантовых явлений в курсе физики технических учебных заведений. <...> Цель нанотехнологий состоит в управлении поведением отдельных наночастиц — атомов, молекул, молекулярных систем — при создании новых наноструктур, наноустройств и материалов со специальными физическими, химическими и биологическими свойствами. <...> Такие объекты, подобно атомам, обладают дискретным энергетическим спектром, поэтому их часто называют «искусственными атомами», хотя они и состоят из тысяч реальных атомов. <...> Они представляют собой выращенные специальным образом наноостровки — включения одного полупроводника (с меньшей шириной запрещенной зоны) в матрице или на поверхности другого полупроводника (с большей шириной запрещенной зоны). <...> Различие в ширине запрещенных зон полупроводников приводит к тому, что электроны оказываются локализованными в пределах квантовой точки. <...> Таким образом, квантовая точка представляет собой своеобразную ловушку, удерживающую электроны внутри себя. <...> 1 приведены квантовые точки PbSe, выращенные с помощью этого метода на подложке PbTe. <...> При росте первого мономолекулярного слоя PbSe на подложке PbTe, из-за различия постоянных решетки этих кристаллов, в растущем слое возникают упругие напряжения. <...> При дальнейшем осаждении молекул PbSe эти напряжения увеличиваются, так что энергетически выгодным становится не равномерный рост осаждаемого вещества <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт