НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИЯХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Рассмотрены возможности применения ультрафиолетового лазерного излучения в технологиях микроэлектроники.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Ю.В. Голу бенко , А.В. Богданов
НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ
УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
В ТЕХНОЛОГИЯХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Рассмотрены возможности применения ультрафиолетового лазерного
излучения в технологиях микроэлектроники. <...> E-mail: mtbmsu@mail.ru
Ключевые слова: ультрафиолетовое (УФ) лазерное излучение, микрообработка,
модификация и разделение материалов. <...> Одно из направлений развития лазерных технологий в микроэлектронике
— использование ультрафиолетового (УФ) лазерного излучения. <...> Ультрафиолетовое излучение на шкале электромагнитных волн
находится между фиолетовой границей видимого излучения и рентгеновским
излучением. <...> Ультрафиолетовое лазерное излучение получают с помощью молекулярных
газовых лазеров на N2 и H2, эксимерных лазеров KF, XeF
и др., а также твердотельных перестраиваемых лазеров с увеличением
частоты генерации. <...> Твердые материалы возникают при высокой плотности атомов или
молекул, составляющих вещество, когда электромагнитное взаимодействие
между ними становится достаточно сильным. <...> В зависимости
от структуры их электронного спектра твердые материалы подразделяют
на металлы, полупроводники и диэлектрики. <...> В металлах обобществленные электроны внешних атомных оболочек
образуют почти свободный электронный газ, не полностью заполняющий
энергетические состояния в зоне проводимости. <...> В полупроводниках
и диэлектриках электроны в большей степени локализованы
вблизи атомов, а их обобществление приводит к спектру, в котором
энергетические состояния в нижней, валентной зоне полностью заполнены,
а состояния в верхней зоне проводимости пусты. <...> Зона проводимости
отделена от валентной зоны энергетическим интервалом (запрещенная
зона), в котором отсутствуют разрешенные энергетические
состояния. <...> Ширина запрещенной зоны варьируется для различных
полупроводников от десятых долей до двух-трех электрон-вольт, в диэлектриках
— 5… <...> Эти качественные различия спектров электронов <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: