РУсскоязычный Архив Электронных СТатей периодических изданий
Инженерный журнал: наука и инновации/2012/№ 6/
В наличии за
50 руб.
Купить
Облако ключевых слов*
* - вычисляется автоматически
Недавно смотрели:

НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИЯХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Рассмотрены возможности применения ультрафиолетового лазерного излучения в технологиях микроэлектроники.

Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
Ю.В. Голу бенко , А.В. Богданов НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ПРИМЕНЕНИЯ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОГО ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИЯХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Рассмотрены возможности применения ультрафиолетового лазерного излучения в технологиях микроэлектроники. <...> E-mail: mtbmsu@mail.ru Ключевые слова: ультрафиолетовое (УФ) лазерное излучение, микрообработка, модификация и разделение материалов. <...> Одно из направлений развития лазерных технологий в микроэлектронике — использование ультрафиолетового (УФ) лазерного излучения. <...> Ультрафиолетовое излучение на шкале электромагнитных волн находится между фиолетовой границей видимого излучения и рентгеновским излучением. <...> Ультрафиолетовое лазерное излучение получают с помощью молекулярных газовых лазеров на N2 и H2, эксимерных лазеров KF, XeF и др., а также твердотельных перестраиваемых лазеров с увеличением частоты генерации. <...> Твердые материалы возникают при высокой плотности атомов или молекул, составляющих вещество, когда электромагнитное взаимодействие между ними становится достаточно сильным. <...> В зависимости от структуры их электронного спектра твердые материалы подразделяют на металлы, полупроводники и диэлектрики. <...> В металлах обобществленные электроны внешних атомных оболочек образуют почти свободный электронный газ, не полностью заполняющий энергетические состояния в зоне проводимости. <...> В полупроводниках и диэлектриках электроны в большей степени локализованы вблизи атомов, а их обобществление приводит к спектру, в котором энергетические состояния в нижней, валентной зоне полностью заполнены, а состояния в верхней зоне проводимости пусты. <...> Зона проводимости отделена от валентной зоны энергетическим интервалом (запрещенная зона), в котором отсутствуют разрешенные энергетические состояния. <...> Ширина запрещенной зоны варьируется для различных полупроводников от десятых долей до двух-трех электрон-вольт, в диэлектриках — 5… <...> Эти качественные различия спектров электронов <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности

Похожие документы: