ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ СУБМИКРОННЫХ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ

импульсное лазерное осаждение теллурид висмута модуль Пельтье термоэлектричество наноструктуры.

РЕЛАКСАЦИЯ ПРУЖИН ГОЛОВНОЙ ЧАСТИ ТЕПЛОВЫДЕЛЯЮЩЕЙ СБОРКИ, ТЕХНОЛОГИЯ БЕСКАЛИБРОВОЧНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ФОТОТЕРМИЧЕСКОЙ ДИАГНОСТИКИ ТОНКИХ СЛОЕВ И ПОКРЫТИЙ, ...

А.Е. Шупене в ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ СУБМИКРОННЫХ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА ВИСМУТА МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ Использование наноразмерных термоэлектрических структур — перспективное направление развития конструкций термоэлектрических модулей. <...> Тонкопленочные структуры теллурида висмута были получены в МГТУ им. <...> Проанализированы толщины и поверхности осажденных при различных режимах структур теллурида висмута. <...> Приведена зависимость толщины осажденного слоя от температуры нагревателя и энергетических параметров лазерного излучения. <...> Даны общие оценки стехиометрической однородности пленок в зависимости от режимов осаждения. <...> Современные тенденции миниатюризации в электронике и технике приводят к необходимости поиска новых способов обеспечения эффективного теплоотвода нагревающихся элементов конструкции, предъявляя все более жесткие технологические ограничения для конструкций теплообменников. <...> Эффект Пельтье (1834), заключающийся в выделении или поглощении теплоты при прохождении электрического тока в месте контакта (спая) двух разнородных проводников, позволил создать термоэлектрические модули, применяемые в настоящее время во многих областях техники и электроники. <...> Однако возникает вопрос о повышении термоэлектрической эффективности работы подобных модулей. <...> Полупроводниковые материалы на основе теллурида висмута (Bi2Te3) широко используются в термоэлектрических преобразователях энергии, холодильниках, термостатах благодаря высоким значениям термоэлектрической эффективности [1]. <...> Интерес к тонким и сверхтонким пленкам указанных полупроводников обусловлен перспективами создания миниатюрных устройств с более высокими функциональными возможностями. <...> Получение тонких пленок теллурида висмута традиционным методом термического испарения в вакууме сопряжено с трудностями, связанными с высоким парциальным давлением паров халькогена. <...> В результате потери легколетучего <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт