Диаграмма состояния системы GeSbBiTe[4]-Sb[2]Te[3]

полупроводники электронная проводимость халькогениды направленная кристаллизация твердые растворы квазибинарные системы

Влияние тиоцианат-ионов на анодное растворение CO[2]Si в сернокислом электролите, Очистка композитным фильтром при магнитной обработке сточных вод, ...

УДК 546(289.86.87.24+86.24) Г.Р. Гурбанов ДИАГРАММА СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ GeSbBiTe4-Sb2Te3 (Азербайджанская государственная нефтяная академия) e-mail: sheri-ledi@mail.ru Впервые различными физико-химическими методами (ДТА, РФА, МСА, измерением микротвердости и определением плотности) изучен характер взаимодействия компонентов по разрезу GeSbBiTe4-Sb2Te3. <...> Установлено, что разрез является квазибинарным сечением тройной системы GeTe-Sb2Te3-Bi2Te3. <...> В системе GeSbBiTe4-Sb2Te3 установлена растворимость на основе обоих компонентов. <...> При комнатной температуре растворимость на основе GeSbBiTe4 доходит до 10 мол. <...> Изучены физические свойства сплавов из областей твердых растворов. <...> Это связано с тем, что они обладают широким и легко управляемым спектром физико-химических и электрофизических свойств. <...> Поэтому научно-исследовательские работы в направлении получения новых сложных халькогенидных материалов на основе VI 3 V A2 B и улучшения свойств существующих полупроводниковых соединений носят целенаправленный характер. <...> Эти свойства создают возможность широкого применения этих материалов в электронной промышленности [1,2,3]. <...> Целью настоящего исследования является изучение химического взаимодействия между соединениями GeSbBiTe4 и Sb2Te3 методами физикохимического анализа. <...> ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Соединения GeSbBiTe4 и Sb2Te3 синтезировали из особо чистых элементов (германия – (99,99 %), сурьмы – Су-4, висмута – В-4 и теллура – Экстра В-4) визуально-комбинированным методом при 900 и 1000 К соответственно [4]. <...> Анализы 66 показали, что составы синтезированных веществ соответствуют стехиометрическим формулам GeSbBiTe4 и Bi2Te3. <...> Some parameters of initial components Соединение Тпл, К Сингония Параметры Sb2Te3 908 Ромбоэдрическая GeSbBiTe4 850 Тригональная а=6,27 с=38,4 решетки, Е а=4,264 с=30,420 Пространственная группа R3 m R3m D- 3d 5 Сплавы системы GeSbBiTe4-Sb2Te3 синтезировали в однотемпературной вертикальной печи при 850 – 1150 К в вакуумированных до 0,133 Па кварцевых ампулах с периодическим перемешиванием в жидком состоянии. <...> Термическое исследование <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт