Электроосаждение тонких слоев CdSe на Pt электроде
Работа посвящена перспективному материалу широкого назначения.
Авторы
Тэги
Тематические рубрики
Предметные рубрики
В этом же номере:
Резюме по документу**
А.Ш. Алиев, М.Н. Мамедов
ЭЛЕКТРООСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ CdSe НА Pt ЭЛЕКТРОДЕ
(Институт химических проблем Национальной АН Азербайджана)
E-mail: chim.prob.tur@rambler.ru
Исследован механизм электроосаждения CdSe из сернокислого электролита, содержащего
большую концентрацию иона Cd2+ при низких концентрациях H2SeO3 на
платиновом электроде. <...> Установлена область потенциалов, при которых на электроде
образуется пленка, по составу близкая к CdSe. <...> Показано, что свободная фаза Se находится
в нижних слоях осадка. <...> Тонкие слои CdSe являются перспективным
материалом для создания оптоэлектронных
устройств [1–3], твердотельных солнечных батарей <...> Электроосаждение тонких слоев CdSe из
растворов, содержащих H2SeO3, CdSO4 и H2SO4,
проведено ранее в ряде работ [7–10]. <...> Однако в
последнее время вновь возрос интерес к получению
тонких слоев CdSe электрохимическим путем
[11–13]. <...> Вместе с тем, по данным [8, 14] в составе
пленок CdSe, полученных из селенокислых электролитов,
всегда присутствует свободная фаза селена. <...> Предполагается, что вхождение Se в состав
пленок связано с протеканием реакции:
H2SeO3+2H2Se=3Se+3H2O <...> Поэтому для
получения тонких слоев CdSe, свободных от селена,
применялись электролиты с низкой концентрацией
H2SeO3 и относительно высокой концентрацией
CdSO4 [7–9]. <...> Протекание
реакции (1) справедливо лишь в том случае,
когда наблюдается образование коллоидного раствора
селена, а не покрытия, что требует дополнительных
исследований. <...> 70
Основной целью настоящей работы было
исследование механизма электрохимических процессов,
происходящих на отдельных участках
вольтамперных кривых при получении сплавов
Cd–Se из сернокислого электролита с низкой концентрацией
H2SeO3 и достаточно высокой концентрацией
CdSO4. <...> ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Циклические и потенциодинамические
вольтамперные кривые снимались на платиновом
электроде с помощью потенциостата П-5827 М и
регистратора ПДПН-002. <...> Вольтамперные кривые
снимались со скоростью развертки потенциала 8
мВ/с при температуре 293 К. <...> . Рентгенографические <...>
** - вычисляется автоматически, возможны погрешности
Похожие документы: