Исследование диаграммы состояния системы CaSe-J[2]

полупроводники иодиды галлия селениды галлия галлий селен

Моделирование прогрева стержня локальным источником теплоты при наличии в стержне фазовых переходов, Моделирование теплового состояния в полости с термически толстыми стенками и внутренним источником теплоты, ...

Б.А.Гейдаров ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАГРАММЫ СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ GaSe–J2 (Бакинский государственный университет) Приведены результаты исследования и построена диаграмма состояния системы GaSe–J2. <...> Установили, что при концентрации 40,5 %мол. иода образуется двойная эвтектика между Ga2Se3 и GaSe при температуре 905 ºС. <...> Благодаря интересным и разнообразным полупроводниковым свойствам, GaSe исследовался многими авторами [1–4], но в связи с трудностями синтеза халькогенидов, халькоиодидов галлия и увлажнением их на воздухе до сих пор не изучены диаграммы состояния GaSe–J2. <...> Даже не исследованы химические взаимодействия GaSe при всех концентрациях иода. <...> С этой целью нами исследована диаграмма состояния системы GaSe– J2 в пределах до 60 % мол. иода. <...> Изучение велось методом дифференциального термического и рентгенофазового анализов, а так же исследованы микроструктуры полученных сплавов. <...> Дифференциальный термический анализ проводился на пирометре Курнакова марки ПК-55. <...> Снимали термограммы взаимодействия в системе GaSe–J2, определяли температуру образования и разложения продуктов некоторых реакции (рис. <...> Изучались структуры сплавов системы. указанным методом проводили рентгенофазный и химический анализ (рис. <...> Штрихдиаграммы сплавов системы GaSe–J2. а – GaSe, б – продукт взаимодействия Fig. <...> Для выделения иодидов галлия из селенидов галлия проводилась сублимация. <...> При сублимации иодиды галлия собирались в холодную часть ампулы, потом отделялись от селенидов галлия. <...> The results of chemical analysis of GaSe–J2 system В пределах 330–1050 ºС GaSe+Ga2Se3+GaJ3 GaSe+Ga2Se3+GaJ3 GaSe+Ga2Se3+GaJ3 GaSe+Ga2Se3+GaJ3 Ga2Se3+GaJ3 Ga2Se3+GaJ3+J2 Путем сублимации GaJ3 выделяется от основных продуктов Ga2Sе3 GaSе Примечание Температура, єС цах системы заново появляется давление в связи с сублимацией GaSeJ. <...> Выше 330 ºС происходит разложение селеноиодидов галлия по реакции: 3GaSeJ Ga2Se3 + GaJ3 Выше 560 ºС в образцах системы GaSe–J2 Таким образом, нами установлено, что при Рис. <...> Это объясняется тем, что при температуре выше 560 ºС трииодид галлия <...>

• Похожие документы из РУАЭСТ
• |
• Похожие документы из Руконт